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          • SiC高溫氧化爐.1.jpg

          SiC高溫氧化設備


          所屬分類:

          第三代半導體工藝設備

          第一代半導體工藝設備


          概要:

          ? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度


          關鍵詞:

          SiC高溫氧化



          SiC高溫氧化設備


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